パルストランスの場合、通常のトランスに比べ低周波から高周波に至る広い領域の成分が必要となります。立上り時間が0.1μs～1μsとすると、トランスとしての周波数領域は数100Hz～数MHz位となります。また、パルス幅が長い場合、数10μs～数ｍsに及ぶものは平坦度も大切になり低周波領域も重要になります。高電圧パルスの場合は、昇圧比も大きくなり耐電圧も考えなければならないので1次―2次間のギャップも大きくなり、どうしてもトランスとしての伝送特性は悪くなります。
このような条件を踏まえながら、仕様条件を満たすようにコアの選定、励磁インダクタンス、リーケージインダクタンス、浮遊容量等の設計を行う必要があります。
 長パルスマルチビームクライストロン用パルストランス |
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 アセンブリ部品 |
半導体スイッチIGBTを使用したインダクションモジェレーター用パルストランス | ||||||||
 キッカー電磁石用パルストランス(ブルームライン電源用) |
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 クライストロン用パルストランス |
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 電子銃用パルストランス |
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 電子銃用パルストランス |
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